СПРАВОЧНО-ИНФОРМАЦИОННАЯ СИСТЕМА классификаторы
поставщики
производители
статьи
заявка
поиск
Исследователи успешно протестировали новый материал-альтернативу обычным полупроводникам
E-mail Забыли пароль?
Регистрация
Пароль
   

Новости

25 июля 2011

Материал, восстанавливающий свою форму после снятия нагрузки, может пригодиться при возведении сейсмостойких зданий, утверждают японские учёные. Основным ... >

20 июля 2011

Исследователи из США предложили новый тип белкового сенсора на базе флуоресцентных одностенных углеродных нанотрубок и белковых микрочипов. Крошечное устройство ... >

Архив новостей »


Архив


Вернуться

Исследователи успешно протестировали новый материал-альтернативу обычным полупроводникам

10/08/10

Учёные из Университета штата Огайо и Висконсинского университета в Мэдисоне (США) создали базовое устройство спинтроники с использованием металлического ферромагнитного материала и полупроводника, имеющего органическую основу.

Спинтроникой называют новый раздел электроники, в котором рассматриваются практические способы представления информации с помощью спина электрона. Спинтронные устройства, как ожидается, будут обеспечивать увеличенную плотность записи данных при сниженном энергопотреблении.

Базовый элемент спинтроники — спиновый вентиль — образуется двумя отделёнными друг от друга магнитными слоями. Действие устройства основано на том, что магнитное поле может ориентировать спины электронов в магнитных материалах. Если спины в слоях сонаправлены, электроны довольно свободно преодолевают область контакта, а сопротивление вентиля невелико; в случае противоположно направленных спинов сопротивление, как легко догадаться, возрастает. Спиновое состояние, таким образом, оказывается связано с привычной и легко измеряемой величиной.

Самым перспективными материалами спинтроники многие специалисты считают магнитные полупроводники. В своей работе американские физики использовали полимерный полупроводящий материал — тетрацианоэтанид ванадия V(TCNE)x, первый «магнит» на органической основе, который сохраняет работоспособность при температуре, превышающей комнатную и достигающей 130˚C. Второй магнитный слой был выполнен из La2/3Sr1/3MnO3 (LSMO), а роль барьера сыграли органический полупроводник рубрен и алюминат лантана LaAlO3 (LAO).

В опытах на образцы воздействовало изменяющееся во времени магнитное поле. Результаты измерения сопротивления полностью соответствовали предсказаниям теории и подтвердили возможность записи и считывания спинового состояния.

Результаты исследований опубликованы в журнале Nature Materials.

Наука

© ФГУП «ВО «Внештехника»
главная | классификаторы | поставщики | производители | тематические выпуски/статьи | заявка | поиск